Характеристики
- Чип-штифты
- 3-Контактный
Общие характеристики
- Код товара
- IRLI3705NPBF
- Конструкция микросхемы
- TO-220
Прочие свойства
- Бренд
- Infineon Technologies
Свойства
- Тип
- Power MOSFET
Энергопитание
- Номинальное напряжение
- 30 V
Описание
Полупроводниковый прибор Infineon IRLI3705N
Мощный N-канальный MOSFET Infineon IRLI3705N является одним из лучших решений для применения в высокоэффективных и мощных электронных схемах. Этот транзистор использует технологию HEXFET и поставляется в компактном корпусе TO-220 FullPak (Iso), что обеспечивает надежность и простоту интеграции в различные устройства.
Основные характеристики:
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 47 Вт
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 0.0024 мΩ
- Максимальное напряжение на затворе (VGS): ±20 В
- Максимальный ток сток-исток (ID): 55 А
- Корпус: TO-220 FullPak (Iso), изолированный
- Соответствует директиве RoHS: Да
- Температурный диапазон: -55°C до +175°C
Преимущества:
- Высокая максимальная рассеиваемая мощность, что позволяет использовать транзистор в мощных схемах.
- Низкое сопротивление канала в открытом состоянии обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери энергии.
- Соответствие стандартам RoHS гарантирует экологичность и безопасность использования продукта.
Область применения:
Infineon IRLI3705N подходит для широкого спектра приложений, включая:
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Преобразователи мощности
- Управление электродвигателями
- Автомобильная электроника
- Инверторы
- Высокоточные аналоговые цепи
Выбирайте Infineon IRLI3705N для вашей следующей разработки и обеспечьте высокую производительность и надежность вашего устройства!